فرآوری آلیاژهای Pb(1-x) Sn (x) Te و بررسی مشخصات ریزساختاری آنها

بررسی ویژگی‌های ساختاری و الکترونی ترکیب‌های AgGaX2(X=Se,S,Te) و CuSbX2(X=Se,S,Te) با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی

در این مطالعه ویژگی­ های ساختاری از جمله ثابت­ های شبکه، مدول حجمی و الکترونی ترکیب ­های (X=S,Se,Te) AgGaX2 وCuSbX2 (X=S,Se,Te) در حالت انبوه در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و روش موج­ های  تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) با استفاده از نرم ­افزار Wien2k محاسبه شده است. هم­چنین برای بررسی ویژگی­های الکترونی این ترکیب­ ها، چگالی حالت­ های کل، ساختار نواری، چگال...

بررسی آلیاژهای نقره –ژرمنیوم به وسیله دیفراکسیون اشعه X

Experimental observation of Dirac-like surface states and topological phase transition in Pb(1-x)Sn(x)Te(111) films.

The surface of a topological crystalline insulator (TCI) carries an even number of Dirac cones protected by crystalline symmetry. We epitaxially grew high-quality Pb(1-x)Sn(x)Te(111) films and investigated the TCI phase by in situ angle-resolved photoemission spectroscopy. Pb(1-x)Sn(x)Te(111) films undergo a topological phase transition from a trivial insulator to TCI via increasing the Sn/Pb r...

Observation of a topological crystalline insulator phase and topological phase transition in Pb(1-x)Sn(x)Te.

A topological insulator protected by time-reversal symmetry is realized via spin-orbit interaction-driven band inversion. The topological phase in the Bi(1-x)Sb(x) system is due to an odd number of band inversions. A related spin-orbit system, the Pb(1-x)Sn(x)Te, has long been known to contain an even number of inversions based on band theory. Here we experimentally investigate the possibility ...

Bandgap engineering of Cd(x)Zn(1-x)Te nanowires.

Bandgap engineering of single-crystalline alloy Cd(x)Zn(1-x)Te (0 ≤ x ≤ 1) nanowires is achieved successfully through control of growth temperature and a two zone source system in a vapor-liquid-solid process. Extensive characterization using electron microscopy, Raman spectroscopy and photoluminescence shows highly crystalline alloy nanowires with precise tuning of the bandgap. It is well know...

محاسبه تابع دی الکتریک و ضریب جذب کالکوژنیدهای چهارتایی cu2znmx4(m=sn,ge ; x=s,se,te)

در امتداد توسعه ی رو به رشد ترکیبات پیچیده با کیفیت بالا، دسته ی نیمرساناهای چهارتاییi2-ii-iv-vi4 به علت امکان تغییرات فراوان در ترکیب بندی شیمیایی و به دنبال آن بهینه سازی کارکردشان، به طور گسترده مورد توجه واقع شده اند. آزادی های ساختاری و شیمیایی فراوان این کالکوژنیدها استفاده از این ترکیبات را در کاربردهای چندگانه از جمله فوتوولتائیک ها، اپتیک غیرخطی، ترموالکتریک ها و حتی نارساناهای توپولوژ...